توضیحات پروژه

پلی کریستال های زینک سلناید برای تهیه پنجره های خروجی، لنزهای متمرکز، پخش کننده های اشعه، منشورها و آینه های بازتاب دهنده استفاده شده است.
همانطور که بخوبی مشخص است جذب و پراکنده سازی سطح ترکیبات اپتیکی، سهم عظیمی در تلفات اپتیکی دارد. با به حداقل رساندن ضخامت لایه آسیب دیده سطحی می توان ضریب جذب سطح را به طور قابل توجهی کاهش داد و در نتیجه عملکرد اپتیکی ترکیب بهبود می یابد.
این هدف با پولیش نهایی سطح که معمولا با یکی از سه تکنیک زیر انجام می شود قابل انجام است:
1- یکی از تکنیک ها پولیش با مواد ساینده (Abrasive polishing) با پودرهای 05/0-1 میکرومتری است. عیب این روش نرخ پولیش نسبتا کم ترکیبات اپتیکی است.
2- تکنیک بعدی پولیش شیمیایی است. مزیت این روش بر پولیش با مواد ساینده این است که اثر مواد ساینده در آماده سازی سطح که ممکن است یک لایه آسیب دیده در حین پولیش ایجاد کند حذف می شود. بنابراین پولیش شیمیایی باعث حذف کامل لایه سطحی آسیب دیده از طریق واکنش های شیمیایی می شود و رافنس سطحی را کاهش می دهد.
3- تکنیک سوم پولیش شیمیایی-مکانیکی (Chemomechanical polishing) است که ترکیبی از دو روش قبلی است. در این روش عواملی که قابلیت اچ کردن سطح ترکیب اپتیکی را دارند به طور مستقیم به دوغاب حاوی مواد ساینده اضافه می شود. واکنش با مواد باعث می شود تا لایه سطحی سست شود و لایه سطحی آسیب دیده در آن حل می شود و در نتیجه باعث تسهیل حذف مواد سطحی توسط ذرات ریز ساینده می شود. بنابراین مواد ساینده در بیشتر موارد محصولات واکنش های سطحی را حذف می کند. در این روش یک انتخاب غیر مناسب عامل اچ و یا غلظت نامناسب آن در روش پولیش شیمیایی- مکانیکی باعث اچ شدن سریع مرزهای دانه و ایجاد سطح پوست پرتقالی می شود. انتخاب درست عامل اچ سرعت فرایند را به طور قابل توجهی افزایش می دهد و به علاوه کیفیت سطح ماده اپتیکی را بهبود می بخشد. پولیش CMP تکنیکی مرکب از آسیاب مکانیکی و خوردگی شیمیایی است. در طی فرآیند پولیش واکنش شیمیایی و فرآیند انتقال جرم اتفاق می افتد.
باید توجه داشت که کیفیت زینک سلناید پلی کریستالین پولیش شده وابسته به زمان پولیش، فشار اعمالی، ساینده مورد استفاده، و مواد افزودنی واکنش دهنده دارد. پولیشرها نقش مهمی در کیفیت سطح نهایی بازی می‌کنند.